HBM5
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HBM5，或?qū)⒃?029年到來(lái)
三星稱，降低堆疊的高度是采用混合鍵合的主因，內(nèi)存高度限制在775微米內(nèi)，在這高度中須封裝17個(gè)芯片（即一個(gè)基底芯片和16個(gè)核心芯片），因此縮小芯片間的間隙，是內(nèi)存大廠必須克服的問(wèn)題。
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